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東芝 70nm 8Gb MLC NAND フラッシュが最優秀革新的不揮発性メモリ賞を受賞最新ニュース: オタワ発 – 2006 年 6 月 13 日 - 集積回路および電子装置の技術・特許分析のリーディング企業であるSemiconductor Insights (SI) は、本日、東芝の 70nm 8Gb MLC NAND フラッシュメモリが2006年INSIGHT Award (インサイト賞) の最優秀革新的不揮発性メモリ賞を授与したと発表しました。SI 社メモリ部門のテクノロジーマネージャーである Geoff MacGillivray は、「東芝は、比較的古く、成熟したプロセス技術を使用する一方で、NAND 市場においては、競争に勝つため、従来自社のマルチレベルセルアーキテクチャに頼っている。70nm MLC NAND フラッシュにより、東芝が最新の回路とプロセスの両方を提供できるのは確かです。」さらに「報道によれば、東芝は Samsung を犠牲にし、NAND フラッシュ市場のシェアを獲得しながら、2006 年を堅調にスタートしました。」と述べています。 NAND フラッシュの主なアーキテクチャは、シングルビットセル (SBC) とマルチビットセル (MBC) の 2 種類で、それにマルチビットが具体化したものの一種であるマルチレベルセル (MLC) があります。MLC デバイスは SBC デバイスに比べると、最低でも1世代はプロセスが遅れている傾向にあり、ベンダーは従来回路かプロセス許容範囲のどちらかを追求することを選択してきましたが、どちらも選ぶということはできませんでした。このアーキテクチャにおけるデバイドが、東芝 (MLC) と Samsung (SBC) の競争の中心にあります。 Toshiba America Electronic Components, Inc. のメモリマーケティングディレクターである Scott Nelson は、次のように述べました。「Semiconductor Insights が 東芝の最先端 MLC NAND 技術を表彰したことをうれしく思います。東芝 MLC NAND はその密度の優位性により、多くの家庭用電化製品にとって最適なメモリとなり、同時に市場の要求する費用/性能特性にも適したものになるでしょう。」 SI が最近行った東芝の8Gb 70nm MLC NAND フラッシュ (TC58NVG3D4CTG00) の解析では、以前の4Gb 90nm 世代と比べ、対応するダイサイズの拡大は 6%に満たないのに、2 倍の容量を持つことが明らかになりました。「東芝の 70nm フラッシュ の密度とダイサイズの比率は 55 Mb/mm² を上回り、今日までに我社が解析した NAND フラッシュの中では最も効率の良い設計です。」とMacGillivrayは述べました。 参考資料: Semiconductor Insights Japan について
Semiconductor Insights 社
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Quotable Jerry Healy, |