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Semiconductor Insights が Intel と Micron による初の 50nm NAND フラッシュを確認カリフォルニア州サンノゼ発 – 2006 年 8 月 8 日 - グローバルなマイクロエレクトロニクス業界を対象とした世界的な大手技術コンサルタント会社であるSemiconductor Insights (SI) は本日、Intel と Micron の合弁会社である IM Flash Technologies (IMFT) 製の生産可能な状態にある 50nm NAND フラッシュを評価中であると確認しました。SI 社の lead memory analyst (リードメモリアナリスト) である Geoff MacGillivary は、「我々の行った予備的分析により、デバイスのワードラインピッチで 50nm のゲート長が確認できました。これは今日までに我々が見てきた中では最も進んだフラッシュパーツであり、IMFT が非常に短期間でこのような微細なリソグラフィープロセス技術まで到達できたことに感銘を覚えます。」と述べました。 SI は、すべての主要ベンダーからの最新 NAND フラッシュ製品を含め、年間数百ものメモリデバイスを分析しています。MacGillivray は、「IM Flash Technology の50nm パーツ以前では、Samsung の65nm 4Gb NAND フラッシュにより、シングルレベルセル (SLC) メモリの密度／費用方程式は 31.3Mb/mm² に達しました。IMFT はこれを 41.8Mb/mm² でリードし、さらにダイサイズはSamsung 製のものより 30% 小さくなっています。唯一、東芝製 70nm 8Gb フラッシュは 56.53Mb/mm² で IMFT のソリューションを上回っており、これはマルチレベルセル (MLC) を採用するとにより実現しています。しかし東芝製のダイは IMFT 製よりも 50% 大きいため、トータル的な製造原価に影響します。」さらに、「かつてはメモリ技術における最大の論議は NOR と NAND に関するものでしたが、今では先端プロセス技術と密度のどちらに設計の優位性があるかを比較する、SLC 対 MLC の論議に移行しています。MLC の設計技法を用いて先端のプロセスリソグラフィを組み込んでいくことについて、IMFT がどのような将来的計画を立てているのか、今後楽しみです。」と述べています。 追加情報： Semiconductor Insights について Semiconductor Insights (SI) は、世界的なマイクロエレクトロニクス業界を対象とした大手技術コンサルタント会社です。SI は、集積回路および電子システムの綿密な技術調査を通じて、顧客の知的財産 (IP) 権の行使、新しいテクノロジーおよび製品の開発と商品化をサポートします。主な顧客は、日本、韓国、台湾、欧州、北米の大手エレクトロニクスおよび半導体企業と、同企業の代理を務める法律事務所です。SI は、会社を創設した 1989 年以来、ほぼすべての主要な半導体特許キャンペーンに参加し、代表する顧客には Infineon、Intel、TSMC、Texas Instruments などが含まれます。
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Quotable Jerry Healy, |
