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Japan
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市場をリードする最先端デバイスの技術情報のご提供
 | Micron 50nm 1Gbit DDR2
本デバイスは、1Gビットのメモリを搭載し、24.8Mbit/mm2という優れたダイ効率を実現しています。Micron の 50nm 1Gbit DDR2 はチップサイズ 41mm2 で、Samsung の 58nm (44mm2)、Hynix の 54nm (45mm2) と比較しても、さらに小さなダイ面積を提示しています。 |
 | IMFT 34nm NAND フラッシュ
IMFT の最新 MLC NAND フラッシュ MT29F32G08CBAAA は、SI が解析を行ったなかで最先端のフローティングゲートをベースとした 34nm NAND フラッシュプロセスを特色としています。
このデバイスは、NAND フラッシュ業界初の最高密度 （32G ビット） モノリシック MLC NAND フラッシュを搭載しています。
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 | Texas Instruments OMAP3530 ベースバンドアプリケーションプロセッサ
OMAP3530 は、マルチメディアアプリケーションにおける性能の向上と娯楽用アプリケーションの消費電力の改善を図るため、マルチコアアーキテクチャを実装しています。本デバイスの中心部は、ARM Cortex とその他の主要サブシステムから成っています。 |
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